फोटोव्होल्टेइक ग्लासचे मुख्य कच्चे साहित्य म्हणजे: सिलिका वाळू, सोडा ॲश, डोलोमाइट, चुनखडी, ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साइड, मिराबिलाइट, सोडियम नायट्रेट, सोडियम पायरोअँटिमोनेट आणि काही पुनर्वापर केलेली तुटलेली काच. फोटोव्होल्टेइक ग्लासच्या प्रकाश पारगम्यतेसाठी असलेल्या विशेष आवश्यकतांमुळे, उच्च प्रकाश पारगम्यता मिळवण्यासाठी, प्रत्येक कच्च्या मालातील लोहाचे प्रमाण कमी असणे आणि कच्च्या मालामध्ये लोहाचे प्रमाण कमी असणे सामान्यतः आवश्यक असते.
१. सिलिका वाळू, सिलिकाचा मुख्य घटक, कारखान्याच्या निवडीचे सामान्य तत्त्व
११. उच्च SiO2 प्रमाण आणि स्थिरता.
१.२ कमी Fe2O3 आणि Al2O3 प्रमाण आणि स्थिर.
१.३ क्रोमाइट आणि इतर प्रदूषकांसारखे कोणतेही अपघटन न होणारे कण नाहीत.
१.४ कणांचा आकार योग्य असावा, मोठे कण नसावेत आणि खूप जास्त बारीक पावडर नसावी.
१.५ स्थिर आर्द्रता प्रमाण.
विशिष्ट निर्देशांक आवश्यकता
अ. रासायनिक रचना:
| सामग्री | SiO2 | Al2O3 | Fe2O3 | एलओआय | ओलावा |
| % | ≥९९.३±(०.४) | ≤०.३±(०.१) | ≤०.००८ | ≤०.१५ | ≤५.० |
जर होमोजिनायझिंग स्टोरेज सुविधा उपलब्ध असेल, तर होमोजिनायझिंग स्टोरेजमध्ये पाणी पुरवण्याच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी जल नियंत्रण आणि नियमन योग्यरित्या शिथिल केले जाऊ शकते.
ब. कणांचे वितरण
| mm | १.० | ०.७१ | ०.५० | ०.१२५ | -०.१२५ |
| % | शून्य | ≤शून्य | ≤५.० | ≥९०.० | ≤१०.० |
कणांच्या आकारमानाच्या वितरणाच्या बाबतीत, काही साहित्य असे दर्शवते की बारीक पावडरचे मानक १५% पर्यंत योग्यरित्या शिथिल केले जाऊ शकते, परंतु भट्टीचा प्रकार विचारात घेतला पाहिजे. जर ती पूर्णपणे ऑक्सिजनची भट्टी असेल, तर ती योग्यरित्या शिथिल केली जाऊ शकते, तर जर ती हवेची भट्टी असेल, तर ती शिथिल करू नये, जेणेकरून बारीक पावडरमुळे जाळीत अडथळा येऊन आणि ती उडून जाऊन पांढरे दोष निर्माण होण्याचे दोष टाळता येतील. सिलिका वाळूचा वितळणांक > १८००℃ आहे. जर मोठे कण असतील, तर वितळण्याची प्रक्रिया न होण्याची परिस्थिती उद्भवू शकते (हे भट्टीतील ताणाच्या प्रमाणावर आणि वितळण्याच्या दरावर अवलंबून असते).
सध्या, सिलिका वाळूचे मुख्य स्रोत आहेत: फेंगयांग क्षेत्र, आन्हुई प्रांत; वेनचांग, हैनान प्रांत; हेपू, बेहाई, झानजियांग आणि हेयुआन क्षेत्र. परदेशात, सध्या इंडोनेशिया, मलेशिया, व्हिएतनाम आणि ऑस्ट्रेलियाची वाळू उपलब्ध आहे. फेंगयांग आणि हेयुआन येथील शिरांमधील क्वार्ट्ज धातूच्या गुणवत्तेनुसार, केओलिन इल्युट्रिएशनच्या शेवटच्या टप्प्यात वाळू आणि खडीचे पुन्हा बारीक तुकडे केले जातात (उदा., हेपू, झानजियांग वाळू). ही पुन्हा सागरी वाळूच असते (मुख्यतः टायटॅनियम डायऑक्साइड काढून टाकला जात नाही किंवा कमी केला जात नाही, भट्टीत त्याची काही प्रमाणात झीज होते आणि काचेतील टायटॅनियम डायऑक्साइडच्या अवशेषांमुळे काचेची अतिनील प्रकाश पारगम्यता कमी होऊ शकते).
२. सोडा सोडा, काच कारखाने सामान्यतः हेवी सोडा सोडा निवडतात, ज्याचा मुख्य घटक सोडियम कार्बोनेट आहे, जो वितळवण्याच्या प्रक्रियेत भूमिका बजावतो, त्याचा कण आकार आणि सिलिका वाळू यांच्यात संबंध असतो, सोडा सोडाच्या गुणवत्ता मानकांसाठी सामान्य कारखान्याच्या आवश्यकता आणि निवडीची तत्त्वे खालीलप्रमाणे आहेत:
२.१ उच्च Na2CO3 सामग्री
२.२ NaCl आणि Fe2O3 चे कमी प्रमाण
२.३ योग्य कणांचा आकार आणि दूषित पदार्थ व गुठळ्यांपासून मुक्त.
विशिष्ट निर्देशांक आवश्यकता
अ. आवश्यक घटक:
| सामग्री | Na2CO3 | NaCl | नुकसान | Fe2O3 |
| % | ≥९९.० | ≤०.५० | ≤०.५० | ०.००३० |
५. ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साईड, प्रामुख्याने ॲल्युमिना घटक पुरवतो, जो काचेची मजबुती वाढवण्याचे कार्य करतो, परंतु ॲल्युमिनाचे प्रमाण जास्त असल्यास वितळल्यानंतर काच स्वच्छ होण्याची प्रक्रिया खराब होऊ शकते, त्यामुळे ते सावधगिरीने वाढवणे आवश्यक आहे. सामान्यतः, फोटोव्होल्टेइक काचेमध्ये ॲल्युमिनाचे प्रमाण ०.९५-१.०५% च्या आसपास असावे, जेणेकरून चांगली कटिंग क्षमता आणि मजबुतीची आवश्यकता पूर्ण करता येईल. कारण ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साईड ॲल्युमिनापेक्षा सहज वितळतो आणि त्यातून पाण्याचे रेणू बाहेर पडू शकतात, ज्यामुळे काच स्वच्छ होण्याची प्रक्रिया वाढते, म्हणून बहुतेक कारखाने ॲल्युमिना मिश्रणात समाविष्ट करण्यासाठी कच्चा माल म्हणून ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साईडची निवड करतात. तथापि, अलीकडील अभ्यासातून असे दिसून आले आहे की अतिसूक्ष्म ॲल्युमिना पावडरचा वापर फोटोव्होल्टेइक काचेवर काचेच्या गुणवत्तेवर परिणाम न करता केला जाऊ शकतो. हा कच्चा माल लहान कणांचा आकार आणि जास्त पृष्ठभागीय ऊर्जा या वैशिष्ट्यांचा वापर करतो. ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साईड प्लांटच्या निवडीचे तत्त्व:
५.१ ॲल्युमिनियम ऑक्साईडचे प्रमाण जास्त असावे, ॲल्युमिनियम हायड्रॉक्साईडचे प्रमाण जास्त असावे.
५.२ कमी Fe2O3 सामग्रीची आवश्यकता
५.३ प्रदूषण नाही आणि गुठळ्या होत नाहीत.
पोस्ट करण्याची वेळ: २६ एप्रिल २०२१